纳米氮化铝

一、基本特性：

化学式：AlN（Aluminum Nitride）

晶体结构：六方纤锌矿结构（Wurtzite），宽带隙半导体

二、技术指标：

备注：如用户需求其他粒度规格的产品、公司提供定制化生产

三、产品应用:

(1) 电子封装与散热

基板材料：高导热AlN陶瓷（LED、功率模块散热片）。

覆铜板：AlN-铜复合基板（5G高频器件）。

(2) 光电器件

深紫外LED：AlN单晶衬底（波长<280 nm）。

传感器：耐高温压力/气体传感器。

(3) 复合材料增强

聚合物基：环氧树脂/AlN（提升导热绝缘性）。

金属基：Al/AlN（电子壳体散热）。

(4) 高频器件

微波窗口材料：高透波性（雷达、卫星通信）。

(5) 其他领域

核工业：中子吸收材料（氮化硼协同）。

生物陶瓷：研究用于骨替代（需表面修饰）。